Kos sistem penyimpanan tenaga terutamanya terdiri daripada bateri dan penyongsang penyimpanan tenaga. Jumlah kedua-duanya merupakan 80% daripada kos sistem penyimpanan tenaga elektrokimia, di mana penyongsang penyimpanan tenaga menyumbang 20%. Kristal bipolar grid penebat IGBT ialah bahan mentah huluan penyongsang storan tenaga. Prestasi IGBT menentukan prestasi penyongsang penyimpanan tenaga, menyumbang 20%-30% daripada nilai penyongsang.
Peranan utama IGBT dalam bidang penyimpanan tenaga ialah pengubah, penukaran frekuensi, penukaran intervolusi, dan lain-lain, yang merupakan peranti yang sangat diperlukan dalam aplikasi penyimpanan tenaga.
Rajah: modul IGBT
Bahan mentah huluan pembolehubah storan tenaga termasuk IGBT, kapasitansi, rintangan, rintangan elektrik, PCB, dll. Antaranya, IGBT masih bergantung terutamanya kepada import. Masih terdapat jurang antara IGBT domestik di peringkat teknologi dan peringkat terkemuka dunia. Walau bagaimanapun, dengan perkembangan pesat industri storan tenaga China, proses domestikisasi IGBT juga dijangka akan dipercepatkan.
Nilai aplikasi storan tenaga IGBT
Berbanding dengan fotovoltaik, nilai simpanan tenaga IGBT adalah agak tinggi. Storan tenaga menggunakan lebih banyak IGBT dan SIC, melibatkan dua pautan: DCDC dan DCAC, termasuk dua penyelesaian, iaitu storan optik bersepadu dan sistem storan tenaga berasingan. Sistem storan tenaga bebas, jumlah peranti semikonduktor kuasa adalah kira-kira 1.5 kali ganda fotovoltaik. Pada masa ini, storan optik mungkin menyumbang lebih daripada 60-70%, dan sistem penyimpanan tenaga yang berasingan menyumbang 30%.
Rajah: Modul BYD IGBT
IGBT mempunyai pelbagai lapisan aplikasi, yang lebih berfaedah daripada MOSFET dalam penyongsang storan tenaga. Dalam projek sebenar, IGBT telah menggantikan MOSFET secara beransur-ansur sebagai peranti teras penyongsang fotovoltaik dan penjanaan kuasa angin. Perkembangan pesat industri penjanaan kuasa tenaga baharu akan menjadi daya penggerak baharu bagi industri IGBT.
IGBT ialah peranti teras untuk transformasi dan penghantaran tenaga
IGBT boleh difahami sepenuhnya sebagai transistor yang mengawal elektronik dua hala (berbilang arah) mengalir dengan kawalan injap.
IGBT ialah peranti semikonduktor kuasa dipacu voltan kawalan penuh komposit yang terdiri daripada triod bipolar BJT dan tiub kesan medan grid penebat. Kelebihan dua aspek penurunan tekanan.
Rajah: rajah skema struktur modul IGBT
Fungsi suis IGBT adalah untuk membentuk saluran dengan menambah positif pada voltan get untuk memberikan arus asas kepada transistor PNP untuk memacu IGBT. Sebaliknya, tambahkan voltan pintu songsang untuk menghapuskan saluran, mengalir melalui arus tapak terbalik, dan matikan IGBT. Kaedah pemanduan IGBT pada asasnya sama dengan MOSFET. Ia hanya perlu mengawal kutub input N satu saluran MOSFET, jadi ia mempunyai ciri impedans input yang tinggi.
IGBT ialah peranti teras transformasi dan penghantaran tenaga. Ia biasanya dikenali sebagai "CPU" peranti elektronik elektrik. Sebagai industri baru muncul strategik negara, ia telah digunakan secara meluas dalam peralatan tenaga baharu dan bidang lain.
IGBT mempunyai banyak kelebihan termasuk impedans input tinggi, kuasa kawalan rendah, litar pemanduan mudah, kelajuan pensuisan pantas, arus keadaan besar, tekanan lencongan berkurangan dan kerugian kecil. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan mutlak dalam persekitaran pasaran semasa.
Oleh itu, IGBT telah menjadi arus utama pasaran semikonduktor kuasa semasa. Ia digunakan secara meluas dalam banyak bidang seperti penjanaan kuasa tenaga baharu, kenderaan elektrik dan cerucuk pengecas, kapal elektrik, penghantaran DC, storan tenaga, kawalan elektrik industri dan penjimatan tenaga.
Rajah:Infineonmodul IGBT
Klasifikasi IGBT
Mengikut struktur produk yang berbeza, IGBT mempunyai tiga jenis: paip tunggal, modul IGBT dan modul kuasa pintar IPM.
(Cucuk mengecas) dan bidang lain (kebanyakannya produk modular sedemikian dijual di pasaran semasa). Modul kuasa pintar IPM digunakan secara meluas dalam bidang peralatan rumah putih seperti penghawa dingin penyongsang dan mesin basuh penukaran frekuensi.
Bergantung pada voltan senario aplikasi, IGBT mempunyai jenis seperti voltan ultra rendah, voltan rendah, voltan sederhana dan voltan tinggi.
Antaranya, IGBT yang digunakan oleh kenderaan tenaga baharu, kawalan industri dan perkakas rumah adalah terutamanya voltan sederhana, manakala transit rel, penjanaan kuasa tenaga baharu dan grid pintar mempunyai keperluan voltan yang lebih tinggi, terutamanya menggunakan IGBT voltan tinggi.
IGBT kebanyakannya muncul dalam bentuk modul. Data IHS menunjukkan bahawa perkadaran modul dan tiub tunggal ialah 3: 1. Modul ialah produk semikonduktor modular yang dibuat oleh cip IGBT dan FWD (cip diod berterusan) melalui jambatan litar tersuai, dan melalui bingkai plastik, substrat dan substrat , dsb.
Msituasi arked:
Syarikat China berkembang pesat, dan mereka kini bergantung kepada import
Pada tahun 2022, industri IGBT negara saya mempunyai pengeluaran sebanyak 41 juta, dengan permintaan kira-kira 156 juta, dan kadar sara diri sebanyak 26.3%. Pada masa ini, pasaran IGBT domestik kebanyakannya diduduki oleh pengeluar luar negara seperti Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, dan Fuji Electric, di mana bahagian tertinggi ialah Yingfei Ling, iaitu 15.9%.
Pasaran modul IGBT CR3 mencapai 56.91%, dan jumlah bahagian pengeluar domestik Star Director dan era CRRC sebanyak 5.01% ialah 5.01%. Bahagian pasaran tiga pengeluar teratas bagi peranti pembahagian IGBT global mencapai 53.24%. Pengeluar domestik memasuki bahagian pasaran sepuluh teratas peranti IGBT global dengan bahagian pasaran sebanyak 3.5%.
IGBT kebanyakannya muncul dalam bentuk modul. Data IHS menunjukkan bahawa perkadaran modul dan tiub tunggal ialah 3: 1. Modul ialah produk semikonduktor modular yang dibuat oleh cip IGBT dan FWD (cip diod berterusan) melalui jambatan litar tersuai, dan melalui bingkai plastik, substrat dan substrat , dsb.
Msituasi arked:
Syarikat China berkembang pesat, dan mereka kini bergantung kepada import
Pada tahun 2022, industri IGBT negara saya mempunyai pengeluaran sebanyak 41 juta, dengan permintaan kira-kira 156 juta, dan kadar sara diri sebanyak 26.3%. Pada masa ini, pasaran IGBT domestik kebanyakannya diduduki oleh pengeluar luar negara seperti Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, dan Fuji Electric, di mana bahagian tertinggi ialah Yingfei Ling, iaitu 15.9%.
Pasaran modul IGBT CR3 mencapai 56.91%, dan jumlah bahagian pengeluar domestik Star Director dan era CRRC sebanyak 5.01% ialah 5.01%. Bahagian pasaran tiga pengeluar teratas bagi peranti pembahagian IGBT global mencapai 53.24%. Pengeluar domestik memasuki bahagian pasaran sepuluh teratas peranti IGBT global dengan bahagian pasaran sebanyak 3.5%.
Masa siaran: Jul-08-2023
